Транзистор N-MOSFET Infineon IPAN70R750P7S, 700V, 4A, TO220FP (IPAN70R750P7SXKSA1) — набір 40 шт.
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM074347
Транзистор N-MOSFET Infineon IPAN70R750P7S, 700V, 4A, TO220FP (IPAN70R750P7SXKSA1) — набір 40 шт.В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPAN70R750P7S — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 700 В та струм 4 А. Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™ P7 у корпусі TO220FP з монтажем THT. Товар постачається набором із 40 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 700 В
- Струм дрена: 4 А
- Потужність розсіювання: 20,8 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ P7
- Комплект: 40 шт.
Електричні параметри та технологія
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 700 В та витримує напругу затвор-джерело ±16 В. Максимальний струм дрена становить 4 А, а опір у стані провідності дорівнює 0,75 Ом. Загальний заряд затвора — 8,3 нКл,.
Теплові характеристики
Потужність розсіювання транзистора становить 20,8 Вт. Компонент має версію ESD.
Монтаж та корпус
Компонент призначений для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO220FP.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 20.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 700 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 750 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴