
Транзистор N-MOSFET Infineon IPAN70R450P7S, 700В, 6,5А, TO220FP, CoolMOS P7 (IPAN70R450P7SXKSA1) — набір 30 шт.
2 390 ₴
- В наявності
- Код: TM074346
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPAN70R450P7S — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель належить до технології CoolMOS™ P7 та поставляється у комплекті з 30 штук у корпусі TO220FP.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 700 В
- Струм дрена: 6,5 А
- Потужність розсіювання: 22,7 Вт
- Опір у стані провідності: 0,45 Ом
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ P7
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні характеристики
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 700 В та струм дрена 6,5 А. Потужність розсіювання становить 22,7 Вт, а опір у стані провідності дорівнює 0,45 Ом. Заряд затвора — 13,1 нКл, допустима напруга затвор-джерело — ±16 В.
Корпус та технологія
Прилад виконаний у корпусі TO220FP, що призначений для монтажу в отвори (THT). Транзистор має версію ESD.
Комплектація та версія
Увага: товар продається набором, що містить 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 22.7 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 700 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 390 ₴
