Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R1K0CEXKSA2, 800В, 3,6А, TO220FP (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R1K0CEXKSA2 — це уніполярний компонент із технологією CoolMOS™ CE, призначений для роботи в електронних схемах. У комплекті поставляється 10 одиниць у корпусі TO220FP для монтажу на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Напруга дрена-джерела: 800 В
• Струм дрена: 3,6 А (постійний), 18 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 32 Вт
• Опір у стані провідності: 0,95 Ом
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Технологія: CoolMOS™ CE
• Комплектація: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В та постійний струм дрена 3,6 А. Максимальний імпульсний струм становить 18 А, а розсіювана потужність — 32 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, що визначає вимоги до керуючих сигналів.

Опір та заряд затвора

Опір у стані провідності дорівнює 0,95 Ом, що впливає на теплові втрати при роботі. Загальний заряд затвора становить 31 нКл, що характеризує швидкість перемикання та навантаження на драйвер затвора.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Тип монтажу THT (through-hole technology) означає, що виводи впаюються в отвори друкованої плати. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), що визначає логіку його відкривання напругою на затворі. Заряд затвора 31 нКл впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера керування.