Транзистор N-MOSFET Infineon IPA70R600P7SXKSA1, 700В, 8,5А, TO220FP (набір 20 шт.)
2 280 ₴
- В наявності
- Код: TM074342
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA70R600P7SXKSA1, 700В, 8,5А, TO220FP (набір 20 шт.)В наявності
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPA70R600P7SXKSA1. Компоненти у корпусі TO220FP призначені для монтажу на плату (THT) та розраховані на напругу до 700 В і струм 8,5 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга витоку-джерела: 700 В
- Струм витоку: 8,5 А
- Розсіювана потужність: 25 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Опір у відкритому стані: 0,49 Ом
- Заряд затвора: 10,5 нКл
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 700 В, а постійний струм витоку — 8,5 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,49 Ом, що забезпечує ефективне проходження струму.
Теплові характеристики та монтаж
Максимальна розсіювана потужність компонента — 25 Вт. Корпус TO220FP із виведеннями для монтажу в отвори (THT). Заряд затвора становить 10,5 нКл, що впливає на швидкість перемикання.
Комплектація
У пакуванні міститься 20 однакових транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 700 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 490 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴