Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R650CEXKSA1, 650V, 7A, TO220FP, набір 20 шт.
2 280 ₴
- В наявності
- Код: TM074341
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R650CEXKSA1, 650V, 7A, TO220FP, набір 20 шт.В наявності
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPA65R650CEXKSA1. Компоненти виконані у корпусі TO220FP із технологією CoolMOS™, призначені для монтажу на друковану плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 650 В
- Струм стоку: 7 А
- Розсіювана потужність: 28 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Тип та канал керування
Компонент є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Це означає, що для відкриття транзистора необхідно подати напругу на затвор відносно витоку.
Напруга та струм
Максимальна напруга між стоком і витоком становить 650 В,. Допустимий постійний струм стоку дорівнює 7 А. Напруга на затворі обмежена ±20 В,.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 28 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 650 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴