Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R190E6XKSA1, 650В, 20,2А, TO220FP (набір 10 шт.)

3 060 ₴

  • В наявності
  • Код: TM019040
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R190E6XKSA1, 650В, 20,2А, TO220FP (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R190E6XKSA1, 650В, 20,2А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
3 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R190E6XKSA1 — це напівпровідниковий прилад для силових електронних схем. Комплект із 10 штук зручний для серійного виробництва або ремонту обладнання. Модель вирізняється технологією CoolMOS™ та корпусом TO220FP для монтажу на плату.

  • Набір із 10 транзисторів для серійного монтажу
  • Максимальна напруга дрена-джерела 650 В
  • Струм дрена 20,2 А для силових навантажень
  • Опір у стані провідності 0,19 Ом
  • Корпус TO220FP з монтажем THT
  • Технологія CoolMOS™ для ефективної роботи

Висока напруга та струм

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 650 В та витримує струм дрена 20,2 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних перетворювачах та імпульсних блоках живлення. Низький опір у стані провідності 0,19 Ом зменшує втрати енергії та нагрівання приладу.

Технологія CoolMOS™

Застосування технології CoolMOS™ забезпечує ефективну роботу транзистора в силових ланцюгах. Така технологія оптимізує баланс між швидкістю перемикання та втратами потужності. Це важливо для пристроїв, де потрібна стабільна робота під навантаженням.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO220FP з виводами для монтажу на поверхню (THT). Такий формат дозволяє легко інтегрувати транзистор у друковані плати. Максимальна розсіювана потужність становить 34 Вт, що потребує відповідного відведення тепла.

Уніполярна структура з каналом типу N-канальний збагачуваний тип (enhancement mode) — це означає, що транзистор закритий, коли напруга на затворі дорівнює нулю, і відкривається при подачі додатної напруги. Така полярність (unipolar) та тип каналу (wzbogacany) забезпечують передбачуване керування в силових схемах. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає допустимі рівні керуючого сигналу. Це важливо для розробників драйверів затвора, які мають забезпечити надійне відкривання без пробою ізолятора затвора. Знання цих параметрів допомагає правильно підібрати зовнішні резистори та джерело керуючого сигналу. ## Для кого цей товар Транзистор Infineon IPA65R190E6XKSA1 призначений для інженерів та техніків, які працюють із силовими електронними пристроями. Набір із 10 штук спрощує закупівлю компонентів для проектів середнього масштабу.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання34 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік650 В
Максимально допустимий струм стоку20.2 А
Опір у відкритому стані (Rds)190 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO220FP
ТехнологіяCoolMOS™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 060 ₴