Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R650CEXKSA1, 600В, 7А, TO220FP (набір 20 шт.)
2 860 ₴
- В наявності
- Код: TM019039
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R650CEXKSA1, 600В, 7А, TO220FP (набір 20 шт.)В наявності
2 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R650CEXKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220FP. Він має напругу 600 В, струм 7 А та потужність розсіювання 28 Вт. Комплект складається з 20 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Максимальний струм дрена: 7 А
- Опір у стані провідності: 0,65 Ом
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ CE
- Потужність розсіювання: 28 Вт
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Параметри струму та напруги
Транзистор має напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 7 А. Напруга затвор-джерело становить ±20 В. Канал транзистора є збагачуваним.
Технологія та опір
Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™ CE. Опір у стані провідності становить 0,65 Ом. Потужність розсіювання дорівнює 28 Вт.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється методом THT (наскрізний монтаж). Потужність розсіювання: 28 Вт.
Комплект із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 28 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 650 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ CE |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 860 ₴