
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R280P6XKSA1, 600В, 13,8А, TO220FP (набір 10 шт.)
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM035809
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IPA60R280P6XKSA1 у корпусі TO220FP. Характеризується напругою до 600 В та струмом до 13,8 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга: 600 В
- Струм витоку: 13,8 А
- Опір у відкритому стані: 0,28 Ом
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ P6
- Кількість у наборі: 10 шт.
Технічні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 600 В, а допустимий струм витоку — 13,8 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,28 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220FP із виводами для монтажу в отвори (THT). Технологія виготовлення — CoolMOS™ P6, що характерна для силових MOSFET Infineon. Максимальна розсіювана потужність становить 32 Вт.
Комплектація
У пакуванні міститься 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 32 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 280 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ P6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴
