Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R230P6XKSA1, 600В, 16.8А, TO220FP (набір 10 шт.)
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM074338
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R230P6XKSA1, 600В, 16.8А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R230P6XKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 16,8 А. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі TO220FP для монтажу в отвори (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 600 В
- Струм стіка: 16,8 А
- Розсіювана потужність: 33 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,23 Ом
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: 10 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та напругу затвор-витік ±20 В. Струм стіка становить 16,8 А, а опір у відкритому стані — 0,23 Ом. Максимальна розсіювана потужність приладу дорівнює 33 Вт.
Тип та канал
Прилад є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Така конфігурація визначає принцип роботи транзистора та його поведінку в електричних колах.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 33 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 16.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 230 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ P6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴