Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R190P6XKSA1, 600В, 20,2А, TO220FP (набір 10 шт.)
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM035808
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R190P6XKSA1, 600В, 20,2А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R190P6XKSA1 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. У комплекті постачається 10 одиниць у корпусі TO220FP.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Струм стіка: 20,2 А
- Розсіювана потужність: 34 Вт
- Корпус: TO220FP
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні характеристики
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та постійний струм стіка 20,2 А. Опір у відкритому стані становить 0,19 Ом, що визначає його провідні властивості. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 34 Вт.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT). Технологія виготовлення базується на платформі CoolMOS™ P6.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 34 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ P6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴