Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R125P6XKSA1, 600V, 30A, TO220FP (набір 20 шт.)
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM074337
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R125P6XKSA1, 600V, 30A, TO220FP (набір 20 шт.)В наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R125P6XKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220FP, призначений для роботи з напругою до 600 В та струмом до 30 А. Комплект складається з 20 одиниць.
- Набір із 20 транзисторів N-MOSFET
- Максимальна напруга дренаж-виток 600 В
- Струм дренажу до 30 А
- Корпус TO220FP для скрізного монтажу (THT)
- Опір у стані провідності 0,125 Ом
- Технологія CoolMOS™ P6
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220FP з технологією встановлення THT (скрізний монтаж). Це дозволяє фіксувати транзистор на друкованій платі за допомогою виводів, що проходять крізь отвори.
Технологія CoolMOS™ P6
Виріб виготовлено за технологією CoolMOS™ P6 від Infineon Technologies.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 34 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ P6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴