Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R125CPXKSA1, 600В, 25А, TO220FP (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R125CPXKSA1 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO220FP для монтажу на плату. Комплект складається з 5 елементів, що забезпечує запас для складання пристроїв або заміни компонентів.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 25 А
• Потужність розсіювання: 35 Вт
• Корпус: TO220FP (THT монтаж)
• Технологія: CoolMOS™ CP
• Комплект: 5 штук

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 25 А. Такі параметри дозволяють використовувати компонент у високовольтних імпульсних джерелах живлення та інверторах. Висока напруга пробиття забезпечує надійну ізоляцію каналу в умовах значних електричних навантажень.

Надійна ізоляція та монтаж

Максимальна потужність розсіювання становить 35 Вт. Корпус TO220FP забезпечує електричну ізоляцію та зручний монтаж на плату. Це дозволяє спростити конструкцію пристрою, не вимагаючи додаткових ізолюючих прокладок.

Технологія CoolMOS™ CP

Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™ CP, що оптимізує характеристики польового транзистора. Таке рішення сприяє зниженню втрат при перемиканні та підвищенню загального ККД електронного пристрою.

Зручний монтаж та комплектність

Транзистор призначений для вивідного монтажу (THT). У комплекті постачається 5 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту. Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний.