Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R125C6XKSA1, 600В, 30А, TO220FP (набір 10 шт.)
2 790 ₴
- В наявності
- Код: TM035807
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R125C6XKSA1, 600В, 30А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
2 790 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA60R125C6XKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 30 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220FP з технологією CoolMOS™ C6.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 600 В
- Струм стіка: 30 А
- Опір у відкритому стані: 0,125 Ом
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ C6
- Кількість у наборі: 10 шт.
Технічні параметри
Прилад має напругу стік-витік 600 В та максимальний струм стіка 30 А. Опір у відкритому стані становить 0,125 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 34 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO220FP з монтажем THT.
Комплектація
У пакуванні міститься 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 34 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ C6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 790 ₴