Транзистор N-MOSFET Infineon IPA086N10N3GXKSA1, 100В, 45А, TO220FP (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA086N10N3GXKSA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 45 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220FP для монтажу на плату.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 100 В
• Струм стіка: 45 А
• Опір у відкритому стані: 8,6 мОм
• Розсіювана потужність: 37,5 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Технологія: OptiMOS™ 3
• Комплектація: 10 шт.

Транзистор працює з напругою стік-витік 100 В та витримує струм стіка 45 А. Опір у відкритому стані становить 8,6 мОм, що забезпечує ефективне проходження струму. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 37,5 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3 від виробника Infineon Technologies. Корпус TO220FP призначений для вивідного монтажу (THT), що дозволяє встановлювати транзистор у отвори друкованих плат. У комплекті надається 10 однакових транзисторів.