Транзистор N-MOSFET Infineon IPA083N10NM5SXKSA1, 100В, 35А, TO220FP (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPA083N10NM5SXKSA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана у корпусі TO220FP із технологією OptiMOS™ 3, що забезпечує ефективну роботу при напрузі 100 В та струмі 35 А. Товар постачається набором із 20 штук.

• Струм стоку 35 А та імпульсний струм 200 А
• Напруга стік-виток 100 В та опір у відкритому стані 8,3 мОм
• Корпус TO220FP із монтажем THT
• Технологія OptiMOS™ 3 від виробника Infineon
• Набір із 20 транзисторів

Ефективне керування струмом

Транзистор працює з постійним струмом стоку 35 А та витримує імпульсний струм до 200 А. Максимальна розсіювана потужність становить 36 Вт. Опір у відкритому стані становить 8,3 мОм.

Надійність та монтаж

Компонент має напругу стік-виток 100 В та допустиму напругу затвор-виток ±20 В. Корпус TO220FP із виведеннями для монтажу на плату (THT). Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3 від Infineon.

Комплектація

У комплекті постачається 20 транзисторів Infineon IPA083N10NM5SXKSA1.