Транзистор N-MOSFET Infineon IPA045N10N3GXKSA1, 100В, 64А, TO220FP (набір 10 шт.)
2 440 ₴
- В наявності
- Код: TM074334
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA045N10N3GXKSA1, 100В, 64А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPA045N10N3GXKSA1. Це уніполярні компоненти з напругою стік-витік 100 В та струмом стоку 64 А у корпусі TO220FP для монтажу на плату.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 100 В
- Струм стоку: 64 А
- Опір у стані провідності: 4,5 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: набір із 10 шт.
Тип та полярність
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між виводами стік та витік становить 100 В, а допустимий струм стоку — 64 А. Потужність розсіювання дорівнює 39 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Напруга та струм
Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 4,5 мОм. Максимальна напруга на затворі (Gate-Source) становить ±20 В. Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3.
Опір та технологія
Транзистор постачається у корпусі TO220FP, який призначений для вивідного монтажу (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 39 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 64 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 440 ₴