Транзистор N-MOSFET Infineon IPA041N04NGXKSA1, 40V, 70A, TO220FP (набір 10 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM074333
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA041N04NGXKSA1, 40V, 70A, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPA041N04NGXKSA1. Компоненти виконані у корпусі TO220FP та призначені для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-джерело: 40 В
- Струм стіка: 70 А
- Опір у відкритому стані: 4,1 мОм
- Розсіювана потужність: 35 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга стік-джерело становить 40 В, а постійний струм стіка — 70 А. Опір у відкритому стані дорівнює 4,1 мОм.
Теплові характеристики та монтаж
Максимальна розсіювана потужність транзистора — 35 Вт. Компоненти виготовлені за технологією OptiMOS™ 3. Монтаж здійснюється через отвори (THT) у корпусі TO220FP.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 70 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.1 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴