Транзистор N-MOSFET Infineon IPA029N06NXKSA1, 60V, 84A, TO220FP (набір 10 шт.)
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM074332
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA029N06NXKSA1, 60V, 84A, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPA029N06NXKSA1. Компоненти виконані у корпусі TO220FP із технологією OptiMOS™, призначені для монтажу на друковані плати (THT).
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 84 А
- Потужність розсіювання: 38 Вт
- Опір у відкритому стані: 2,9 мОм
- Корпус: TO220FP
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 60 В та максимальний струм стоку 84 А. Потужність розсіювання становить 38 Вт, а опір у відкритому стані — 2,9 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Корпус та монтаж
Компоненти виготовлені у корпусі TO220FP. Тип монтажу — THT (вивідний), що дозволяє встановлювати транзистори у отвори друкованої плати. Канал збагачуваний, полярність — уніполярна.
Комплектація
У пакеті постачається 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 38 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 84 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.9 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴