Транзистор N-MOSFET Infineon IMZ120R030M1HXKSA1 SiC 1200V 45A TO247-4
1 910 ₴
- В наявності
- Код: TM074294
Транзистор N-MOSFET Infineon IMZ120R030M1HXKSA1 SiC 1200V 45A TO247-4В наявності
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IMZ120R030M1HXKSA1. Це силовий напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-4 з монтажем THT.
- Тип: N-MOSFET, канал збагачуваний
- Напруга дрена-джерела: 1,2 кВ
- Струм дрена: 45 А (імпульсний до 150 А)
- Опір у стані провідності: 57 мОм
- Розсіювана потужність: 114 Вт
- Корпус: TO247-4, монтаж THT
- Технологія: SiC (CoolSiC™)
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,2 кВ та постійний струм дрена 45 А. У імпульсному режимі прилад витримує струм до 150 А.
Технологія SiC та низький опір
Використання технології CoolSiC™ та SiC визначає тип напівпровідника. Опір у стані провідності становить 57 мОм.
Корпус та монтаж
Максимальна розсіювана потужність транзистора — 114 Вт. Корпус TO247-4 має виведення Кельвіна. Монтаж виконується методом THT.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 114 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 23 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 45 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 57 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO247-4 |
| Технологія | CoolSiC™, SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 910 ₴