Транзистор IGBT Infineon IKW50N65EH5XKSA1, 650В, 50А, TO247-3, набір 5 шт.

Набір із 5 транзисторів IGBT від Infineon Technologies, модель IKW50N65EH5XKSA1. Призначені для роботи з напругою колектор-емітер до 650 В та струмом колектора 50 А у корпусі TO247-3.

• Напруга колектор-емітер: 650 В
• Струм колектора: 50 А (постійний), 200 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 138 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Вбудований антипаралельний діод
• Технологія: TRENCHSTOP™ 5
• Комплектація: 5 шт.

Висока потужність та струм

Транзистори розраховані на постійний струм колектора 50 А та імпульсний струм до 200 А. Максимальна розсіювана потужність становить 138 Вт.

Швидка комутація

Час ввімкнення транзистора становить 54 нс, а час вимкнення — 207 нс. Заряд затвора дорівнює 0,12 мкКл, що впливає на швидкість перемикання та втрати при комутації.

Вбудований діод та технологія TRENCHSTOP™ 5

Компоненти виготовлені за технологією TRENCHSTOP™ 5 та мають вбудований антипаралельний діод.

Монтаж та корпус

Транзистори виконані у корпусі TO247-3 для монтажу на плату (THT). Максимальна напруга затвор-емітер становить ±20 В.

Набір із 5 транзисторів IGBT Infineon IKW50N65EH5XKSA1.