Транзистор Infineon IKB20N65EH5ATMA1, IGBT, 650В, 25А, D2PAK (набір 10 шт.)

IGBT-транзистор Infineon IKB20N65EH5ATMA1 — це напівпровідниковий прилад із вбудованим антипаралельним діодом, розроблений для ефективної роботи в силових електронних схемах. Модель належить до технології TRENCHSTOP™ 5, що забезпечує низькі втрати та високу швидкість перемикання. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі D2PAK, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Напруга колектор-емітер: 650 В
• Струм колектора: 25 А (імпульсний до 60 А)
• Корпус D2PAK, монтаж SMD
• Технологія TRENCHSTOP™ 5
• Час ввімкнення: 40 нс, вимкнення: 183 нс
• Комплект: 10 шт.

Потужність та тепловідведення

Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 25 А. Імпульсний струм може досягати 60 А, що забезпечує запас міцності при короткочасних пікових навантаженнях. Максимальна розсіювана потужність становить 62,5 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Швидкість перемикання

Завдяки технології TRENCHSTOP™ 5, час ввімкнення становить 40 нс, а час вимкнення — 183 нс. Ці характеристики визначають динамічні властивості транзистора та впливають на втрати при перемиканні.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі D2PAK із технологією монтажу SMD. Такий формат дозволяє розміщувати транзистор на друкованих платах із високою щільністю, забезпечуючи компактність пристрою. Корпус D2PAK сприяє ефективному відведенню тепла, що критично для стабільної роботи.

Інтегрований діод та параметри керування

У конструкцію транзистора інтегрований антипаралельний діод, що спрощує схемотехніку та зменшує кількість зовнішніх компонентів. Напруга керування затвором становить ±20 В, а заряд затвора — 48 нКл. Ці параметри визначають вимоги до драйвера керування та впливають на швидкість перемикання.