Транзистор IGBT Infineon IKA10N65ET6XKSA2, 650В, 9А, TO220FP (набір 20 шт.)

Транзистор IGBT від бренду Infineon Technologies, модель IKA10N65ET6XKSA2, призначений для роботи в електронних схемах із напругою до 650 В та струмом колектора 9 А. Пакет містить 20 одиниць компонентів у корпусі TO220FP, що забезпечує зручність для серійного монтажу та прототипування.

• Напруга колектор-емітер 650 В для силових застосувань
• Струм колектора 9 А та імпульсний струм 42,5 А
• Корпус TO220FP із розсіюванням потужності 20 Вт
• Технологія TRENCHSTOP™ 6 для високої ефективності
• Вбудований антипаралельний діод
• Набір із 20 транзисторів для серійного монтажу

Висока напруга та струм

IGBT-транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В, що дозволяє використовувати його в силових перетворювачах та інверторах. Номінальний струм колектора становить 9 А, а імпульсний струм може досягати 42,5 А, що забезпечує надійну роботу під час пікових навантажень.

Технологія TRENCHSTOP™ 6

Компонент виготовлений за технологією TRENCHSTOP™ 6, яка оптимізує баланс між втратами при перемиканні та провідності. Це рішення від Infineon сприяє підвищенню ефективності пристроїв та зниженню тепловиділення під час роботи.

Вбудований діод та монтаж

Транзистор має вбудований антипаралельний діод, що спрощує схемотехніку та зменшує кількість зовнішніх компонентів. Монтаж виконується методом THT (скрізний монтаж), а корпус TO220FP забезпечує компактне розміщення на платі з розсіюванням потужності до 20 Вт.

Заряджання та керування затворами

Заряд затвора становить 27 нКл, що забезпечує швидке перемикання та знижує навантаження на драйвер керування. Максимальна напруга затвор-емітер обмежена ±20 В, що є стандартним параметром для надійної роботи IGBT-транзисторів у силових схемах.