Транзистор IGBT Infineon IGB50N65S5ATMA1, 650В, 63А, D2PAK (набір 10 шт.)

IGBT-транзистор Infineon IGB50N65S5ATMA1 — це напівпровідниковий прилад із технологією TRENCHSTOP™ 5, призначений для потужних комутаційних застосувань. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі D2PAK, що забезпечує зручність для серійного монтажу та прототипування.

• Напруга колектор-емітер 650 В
• Струм колектора 63 А (імпульсний до 200 А)
• Корпус D2PAK для SMD-монтажу
• Технологія TRENCHSTOP™ 5
• Час вимкнення 199 нс
• Комплект із 10 одиниць

Зручна комплектація

Набір із 10 транзисторів оптимізований для невеликих серійних виробництв або ремонтних майстерень. Заряд на затворі 0,12 мкКл та допустима напруга затвор-емітер ±20 В відповідають стандартним драйверам керування.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 63 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних інверторах та перетворювачах енергії. Імпульсний струм може досягати 200 А, що важливо для пускових режимів обладнання.

Швидка комутація

Завдяки технології TRENCHSTOP™ 5 пристрій демонструє низькі втрати при перемиканні. Час увімкнення становить 50 нс, а час вимкнення — 199 нс. Така швидкість реакції мінімізує нагрівання при високих частотах комутації.

Компактний монтаж SMD

Компонент виконаний у корпусі D2PAK із поверхневим монтажем (SMD). Це спрощує автоматизацію процесу пайки та економить місце на друкованій платі. Розсіювана потужність становить 135 Вт, що потребує належного теплового відведення.