Діод Шотткі Infineon IDW15G120C5BFKSA1, SiC, 1200 В, 7.5 А x2, THT (5 шт.)

Діод Шотткі Infineon IDW15G120C5BFKSA1 — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі PG-TO247-3. Пристрій має максимальну зворотну напругу 1200 В та прямий струм 7.5 А на канал (два канали з спільною катодом).

• Тип діода: Шотткі на основі SiC
• Максимальна зворотна напруга: 1200 В
• Прямий струм: 7.5 А x2 (подвійний діод)
• Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
• Потужність розсіювання: 200 Вт
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Максимальна постійна зворотна напруга діода становить 1200 В. Максимальне пряме падіння напруги становить 1.4 В. Максимальний зворотний струм вимірюється у 8 мкА, а максимальна потужність розсіювання — 200 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією CoolSiC™ 5G і має структуру подвійного діода зі спільною катодом. Монтаж виконується методом встановлення у отвори (THT) у корпусі PG-TO247-3.

Імпульсні характеристики та потужність

Максимально допустимий прямий імпульсний струм становить 160 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 200 Вт, а максимальний зворотний струм — 8 мкА.