
Діод Шотткі Infineon IDK02G65C5XTMA1, SiC, 650 В, 2 А, SMD (50 шт.)
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM074257
Діод Шотткі Infineon IDK02G65C5XTMA1 — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі PG-TO263-2 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 50 одиниць, призначених для електронних схем із робочою напругою до 650 В.
- Технологія CoolSiC™ 5G на основі SiC
- Максимальна зворотна напруга 650 В
- Прямий струм 2 А, імпульсний до 22 А
- Низький струм витоку 0,1 мкА
- Корпус PG-TO263-2 для SMD монтажу
- Комплект із 50 одиниць
Технологія SiC та характеристики
Компонент виготовлений за технологією CoolSiC™ 5G. Максимальна зворотна напруга становить 650 В, а прямий струм — 2 А. При імпульсному режимі діод витримує струм до 22 А.
Електричні параметри
Максимальна напруга пропускання дорівнює 1,5 В. Ток витоку становить 0,1 мкА. Потужність розсіювання становить 36 Вт.
Корпус та монтаж
Діод має структуру «одиночний діод» і поставляється в корпусі PG-TO263-2. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж). Діод призначений для застосування в електронних пристроях, де важливі високі параметри напруги та струму.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 36 Вт |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 22 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.5 В |
| Максимальний зворотний струм | 0.1 мкА |
| Максимальний прямий струм | 2 А |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | PG-TO263-2 |
| Технологія | CoolSiC™ 5G, SiC |
- Ціна: 1 990 ₴
