Діод Шоткі Infineon IDH06G65C6XKSA1, SiC, 650 В, 6 А, PG-TO220-2 — набір 10 шт.

Діод Шоткі Infineon IDH06G65C6XKSA1 — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі PG-TO220-2. Пристрій розрахований на постійну зворотну напругу 650 В та прямий струм 6 А.

• Тип діода: Шоткі
• Технологія: SiC (CoolSiC™ 5G)
• Максимальна зворотна напруга: 650 В
• Максимальний прямий струм: 6 А
• Корпус: PG-TO220-2
• Тип монтажу: вставний (THT)
• Максимальна потужність розсіювання: 54 Вт
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимальна постійна зворотна напруга діода становить 650 В, а максимальний прямий струм — 6 А. Максимальне пряме падіння напруги дорівнює 1,25 В, що є типовим показником для діодів Шотткі цієї потужності. Максимальний зворотний струм обмежений значенням 46 мкА, а максимальна потужність розсіювання — 54 Вт.

Імпульсні характеристики та конструкція

Діод здатний витримувати прямий імпульсний струм до 30 А. Компонент виготовлений за технологією CoolSiC™ 5G. Монтаж виконується вивідним методом (THT) у корпусі PG-TO220-2 з товщиною радіатора 1,17–1,37 мм.

Структура напівпровідника та ідентифікація

Структура напівпровідника — одиночний діод (pojedyncza dioda). Символ виробника: IDH06G65C6XKSA1, символ TME: IDH06G65C6. У комплекті поставляється 10 шт. діодів.