Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75639S3ST, 100В, 56А, D2PAK — набір 10 шт.

3 110 ₴

  • В наявності
  • Код: TM018962
Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75639S3ST, 100В, 56А, D2PAK — набір 10 шт.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75639S3ST, 100В, 56А, D2PAK — набір 10 шт.В наявності
3 110 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET від виробника ONSEMI, модель HUF75639S3ST. Компонент виконаний у корпусі D2PAK із технологією UltraFET®, що забезпечує ефективну роботу при навантаженні до 200 Вт.

  • Струм стоку до 56 А
  • Розсіювана потужність 200 Вт
  • Опір у стані провідності 25 мОм
  • Корпус D2PAK із технологією UltraFET® для SMD монтажу
  • Набір із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистор здатний пропускати струм стоку до 56 А. Максимальна розсіювана потужність становить 200 Вт. Опір у стані провідності становить 25 мОм.

Надійна ізоляція та керування

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В. Напруга затвор-виток обмежена рівнем ±20 В. Загальний заряд затвора становить 130 нКл.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент має поверхневий монтаж (SMD) у корпусі D2PAK. Товар постачається набором із 10 штук. Канал транзистора є збагачуваним.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання200 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік100 В
Максимально допустимий струм стоку56 А
Опір у відкритому стані (Rds)25 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусD2PAK
ТехнологіяUltraFET®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 110 ₴