
Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75639S3ST, 100В, 56А, D2PAK — набір 10 шт.
3 110 ₴
- В наявності
- Код: TM018962
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від виробника ONSEMI, модель HUF75639S3ST. Компонент виконаний у корпусі D2PAK із технологією UltraFET®, що забезпечує ефективну роботу при навантаженні до 200 Вт.
- Струм стоку до 56 А
- Розсіювана потужність 200 Вт
- Опір у стані провідності 25 мОм
- Корпус D2PAK із технологією UltraFET® для SMD монтажу
- Набір із 10 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор здатний пропускати струм стоку до 56 А. Максимальна розсіювана потужність становить 200 Вт. Опір у стані провідності становить 25 мОм.
Надійна ізоляція та керування
Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В. Напруга затвор-виток обмежена рівнем ±20 В. Загальний заряд затвора становить 130 нКл.
Зручний монтаж та комплектація
Компонент має поверхневий монтаж (SMD) у корпусі D2PAK. Товар постачається набором із 10 штук. Канал транзистора є збагачуваним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 56 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 25 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | UltraFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 110 ₴
