
Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75639P3, 100В, 56А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 690 ₴
- В наявності
- Код: TM018961
Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75639P3 — це уніполярний компонент у корпусі TO220AB, призначений для комутації у електронних схемах. Комплект із 10 штук забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або ремонту обладнання. Висока потужність розсіювання 200 Вт та струм стоку 56 А дозволяють використовувати транзистор у силових ланцюгах із значними навантаженнями.
- Струм стоку 56 А для потужних силових ланцюгів
- Напруга стік-витік 100 В для широкого спектру застосувань
- Потужність розсіювання 200 Вт забезпечує стабільну роботу
- Низький опір у відкритому стані 25 мОм зменшує втрати
- Корпус TO220AB із монтажем THT для зручної пайки
- Комплект із 10 транзисторів для серійного виробництва
Висока потужність та струм
Транзистор розрахований на максимальний струм стоку 56 А та напругу стік-витік 100 В. Потужність розсіювання 200 Вт гарантує стабільну роботу при високих навантаженнях, що важливо для силових перетворювачів та імпульсних блоків живлення. Низький опір у відкритому стані 25 мОм зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи.
Зручний монтаж та надійність
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB із технологією монтажу THT (скрізний монтаж). Це спрощує процес пайки та забезпечує надійний контакт із друкованою платою. Максимальна напруга затвор-витік ±20 В визначає вимоги до керуючого сигналу, що дозволяє інтегрувати транзистор у різноманітні схеми керування.
Технологія UltraFET®
Використання технології UltraFET® забезпечує оптимальне співвідношення між швидкодією та втратами при перемиканні. Заряд затвора 130 нКл впливає на вимоги до драйвера затвора.
Транзистор ONSEMI HUF75639P3 підходить для інженерів та техніків, які працюють із силовими електронними пристроями та блоками живлення. Комплект із 10 штук є вигідним рішенням для забезпечення запасу компонентів на виробництві або в ремонтній майстерні.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 56 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 25 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | UltraFET® |
- Ціна: 2 690 ₴
