Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75545P3, 80V, 73A, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75545P3 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах із навантаженням до 73 А. Модель виконана в корпусі TO220AB із технологією UltraFET®, що забезпечує ефективне розсіювання тепла та низький опір у відкритому стані.

• Струм стоку до 73 А
• Напруга стік-витік 80 В
• Потужність розсіювання 270 Вт
• Опір у стані провідності 10 мОм
• Корпус TO220AB для вивідного монтажу
• Набір із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистор здатний пропускати струм стоку до 73 А при напрузі стік-витік 80 В. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високим споживанням енергії, де потрібна стабільна робота під значним навантаженням. Максимальна розсіювана потужність становить 270 Вт, що вимагає обов'язкового використання радіатора для відведення тепла.

Ефективність та низькі втрати

Опір у стані провідності дорівнює 10 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Заряд затвора становить 235 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В, що є стандартним параметром для керування MOSFET-транзисторами.

Зручність монтажу та комплектація

Компонент призначений для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO220AB, що спрощує пайку та заміну на друкованих платах. Товар постачається набором із 10 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонтних майстерень. Технологія UltraFET® забезпечує оптимізовані характеристики перемикаючих транзисторів.

Цей транзистор підходить для інженерів та радіоаматорів, які будують потужні імпульсні джерела живлення, інвертори або двигуни, де важливі високий струм та надійність охолодження.