Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75344G3, 55В, 75А, TO247 (набір 10 шт.)

3 160 ₴

  • В наявності
  • Код: TM018957
Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75344G3, 55В, 75А, TO247 (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75344G3, 55В, 75А, TO247 (набір 10 шт.)В наявності
3 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75344G3 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247, призначений для роботи з навантаженнями до 75 А та напругою 55 В. Комплект із 10 штук забезпечує необхідну кількість компонентів для серійного виробництва або ремонту обладнання.

  • Струм стоку до 75 А
  • Напруга стік-витік 55 В
  • Потужність розсіювання 285 Вт
  • Опір у відкритому стані 8 мОм
  • Корпус TO247, монтаж THT
  • Комплект: 10 транзисторів

Висока потужність розсіювання

Транзистор здатний розсіювати до 285 Вт тепла, що дозволяє використовувати його в потужних силових схемах без ризику перегріву. Така характеристика важлива для інверторів, джерел живлення та двигунів, де виникають значенні теплові навантаження.

Низький опір у відкритому стані

Опір каналу в стані провідності становить лише 8 мОм. Це мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, підвищуючи загальний ККД пристрою.

Зручний монтаж та надійність

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO247 з технологією монтажу THT (скрізний монтаж). Це спрощує процес пайки на друковані плати та забезпечує механічну стійкість з'єднань у промислових умовах.

Стабільна робота при високих струмах

Максимальний струм стоку (дрену) досягає 75 А, а напруга стік-витік — 55 В. Транзистор є уніполярним з каналом типу збагачення, що гарантує передбачувану поведінку в схемах керування потужністю. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 7 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання285 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік55 В
Максимально допустимий струм стоку75 А
Опір у відкритому стані (Rds)8 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO247
ТехнологіяUltraFET®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 160 ₴