Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM75D12V1, 75А, 1200В

IGBT модуль HUAJING HFGM75D12V1 — це напівпровідниковий компонент із топологією напівмістка. Модель має номінальний струм колектора 75 А та максимальну зворотну напругу 1200 В.

• Номінальний струм колектора 75 А
• Імпульсний струм до 200 А
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Топологія: напівмісток IGBT
• Монтаж: болтовий або FASTON

Електричні характеристики

Модуль реалізує структуру «транзистор/транзистор» у топології напівмістка IGBT. Номінальний струм колектора становить 75 А, а імпульсний струм може досягати 200 А. Максимальна зворотна напруга (Urmax) дорівнює 1,2 кВ, що визначає межі безпечної експлуатації компонента.

Механічний монтаж

Електричне підключення здійснюється за допомогою конекторів FASTON або болтових з'єднань (прикручуваний монтаж). Механічна установка виконується методом прикручування. Максимальна напруга між затвором та емітером обмежена значенням ±30 В.

Призначення

Згідно з даними виробника, модуль призначений для використання в системах безперебійного живлення (UPS) та інверторах.