Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM150D12V3, 150А, 1200В, напівміст

IGBT модуль HUAJING HFGM150D12V3 — це напівпровідниковий компонент у корпусі V3 62MM, призначений для роботи в інверторах та системах безперебійного живлення (UPS). Пристрій реалізує топологію напівмістка (half-bridge) з двома транзисторами, забезпечуючи комутацію струму до 150 А при напрузі до 1200 В.

• Струм колектора: 150 А
• Імпульсний струм: 350 А
• Максимальна напруга: 1,2 кВ
• Корпус: V3 62MM
• Топологія: напівмісток IGBT
• Застосування: UPS, інвертори

Потужність та струм

Модуль розрахований на струм колектора 150 А, що дозволяє використовувати його в потужних силових схемах. Імпульсний струм може досягати 350 А, що дозволяє використовувати його в інверторах.

Напруга та керування

Максимальна зворотна напруга (Urmax) становить 1,2 кВ, що гарантує стабільну роботу в мережах високої потужності. Напруга між затвором та емітером обмежена ±30 В.

Конструкція та монтаж

Компонент має структуру «транзистор/транзистор» у топології напівмістка. Механічне кріплення здійснюється за допомогою болтів (прикручуваний), а електричне з'єднання реалізовано через конектори FASTON та болтові з'єднувачі.