Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM100D12V1, 100 А, 1,2 кВ

IGBT модуль HUAJING HFGM100D12V1 — напівпровідниковий компонент у корпусі V1 з максимально допустимим струмом колектора 100 А та напругою 1,2 кВ.

• Максимальний струм колектора: 100 А
• Максимальна напруга: 1,2 кВ
• Топологія: напівмост IGBT
• Корпус: V1
• Напруга затвор-емітер: ±30 В

Електричні параметри

Модуль працює з напругою до 1,2 кВ (Urmax) та витримує струм колектора до 100 А. Напруга між затвором та емітером становить ±30 В. Технологія виготовлення — PT.

Конструкція та монтаж

Компонент має топологію напівмоста IGBT та структуру «транзистор/транзистор». Механічне кріплення — прикручуване. Електричне з'єднання здійснюється через конектори FASTON або прикручуванням.