Модуль IGBT HUAJING HFGM100D12V1, 100А, 1200В, напівміст

Модуль IGBT HUAJING HFGM100D12V1 — це напівпровідниковий компонент у корпусі V1, призначений для роботи у складних електронних пристроях. Він забезпечує ефективне перемикання струму до 100 А при напрузі до 1200 В, що робить його ключовим елементом для інверторів та систем безперебійного живлення.

• Струм колектора 100 А для потужних навантажень
• Максимальна напруга 1,2 кВ для високовольтних схем
• Імпульсний струм до 200 А для пікових режимів
• Топологія напівмістка IGBT для інверторів та UPS
• Монтаж прикручуванням та конекторами FASTON

Висока потужність та надійність

Модуль розрахований на постійний струм колектора 100 А, що дозволяє керувати значними навантаженнями у промислових та побутових пристроях. Максимальна зворотна напруга становить 1200 В, що гарантує стабільну роботу в умовах високих електричних навантажень. Імпульсний струм може досягати 200 А.

Топологія та конструкція

Внутрішня структура модуля реалізована за схемою «транзистор/транзистор» у топології напівмістка IGBT.Така конфігурація використовується у напівмісткових схемах. Технологія виготовлення PT.

Застосування та монтаж

Компонент ідеально підходить для використання у системах безперебійного живлення (UPS) та інверторах. Механічний монтаж виконується прикручуванням. Електричне підключення здійснюється через конектори FASTON або прикручуванням, що спрощує інтеграцію у готові пристрої.

Керування та безпека

Допустима напруга між затвором та емітером становить ±30 В.