Транзистор IGBT Toshiba GT50JR22(STA1,E,S), 600В, 44А, TO3PN, комплект 5 шт.
2 410 ₴
- В наявності
- Код: TM073971
Транзистор IGBT Toshiba GT50JR22(STA1,E,S), 600В, 44А, TO3PN, комплект 5 шт.В наявності
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор Toshiba GT50JR22(STA1,E,S) у корпусі TO3PN. Комплект складається з 5 одиниць.
- Тип транзистора: IGBT
- Напруга колектор-емітер: 600 В
- Струм колектора: 44 А (імпульсний до 100 А)
- Розсіювана потужність: 115 Вт
- Корпус: TO3PN, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 600 В та постійний струм колектора 44 А. У імпульсному режимі струм може досягати 100 А. Максимальна розсіювана потужність становить 115 Вт.
Швидкодія та керування
Час ввімкнення транзистора — 250 нс, а час вимкнення — 330 нс. Напруга керування затвором (gate-emitter) допускає значення ±25 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO3PN з монтажем THT (скрізь отвори).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 100 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴