Транзистор IGBT Toshiba GT50JR21, 600 В, 49 А, TO3PN (GT50JR21(STA1,E,S)) — набір 5 шт.
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM073970
Транзистор IGBT Toshiba GT50JR21, 600 В, 49 А, TO3PN (GT50JR21(STA1,E,S)) — набір 5 шт.В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор Toshiba GT50JR21 у корпусі TO3PN має напругу колектор-емітер 600 В та постійний струм колектора 49 А. Модель характеризується розсіюваною потужністю 230 Вт та інтегрованим антипаралельним діодом.
- Напруга колектор-емітер: 600 В
- Постійний струм колектора: 49 А
- Імпульсний струм колектора: 100 А
- Розсіювана потужність: 230 Вт
- Корпус: TO3PN, монтаж THT
- Набір: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор витримує напругу колектор-емітер 600 В та постійний струм колектора 49 А. Імпульсний струм колектора може досягати 100 А, що дозволяє працювати з піковими навантаженнями. Напруга на затворі-емітері становить ±25 В, а розсіювана потужність — 230 Вт.
Швидкодія
Час вмикання транзистора становить 430 нс, а час вимикання — 720 нс. Корпус TO3PN призначений для монтажу в отвори (THT).
Комплектація
Товар поставляється набором із 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 230 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 100 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴