Транзистор IGBT Toshiba GT30J121(Q), 600 В, 30 А, TO3PN (5 шт.)

Транзистор IGBT Toshiba GT30J121(Q) — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO3PN для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 5 одиниць.

• Тип транзистора: IGBT
• Напруга колектор-емітер: 600 В
• Постійний струм колектора: 30 А
• Імпульсний струм колектора: 60 А
• Потужність розсіювання: 170 Вт
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Комплектація: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на постійну напругу колектор-емітер 600 В та постійний струм колектора 30 А. Максимальний імпульсний струм колектора становить 60 А. Потужність розсіювання дорівнює 170 Вт, а допустима напруга на затворі (брамці) — ±20 В.

Швидкодія та монтаж

Час ввімкнення транзистора становить 240 нс, а час вимкнення — 430 нс, що визначає його поведінку в імпульсних режимах. Корпус TO3PN та тип монтажу THT (навісний монтаж).