Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR GT1K2N10I, SOT23, 100В, 3,3А (GT1K2N10I-GFS) — набір 30 шт.

Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR GT1K2N10I — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга сток-джерело: 100 В
• Струм стоку: 3,3 А
• Потужність розсіювання: 1,6 Вт
• Корпус: SOT23 для SMD монтажу
• Технологія: SGT (Shielded Gate Technology)
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Технічні характеристики

Транзистор має канал збагачення та технологію SGT (Shielded Gate Technology). Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В, а постійний струм стоку — 3,3 А. Потужність розсіювання обмежена 1,6 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Електричні параметри

Напруга на затворі може змінюватися в межах ±20 В. Загальний заряд затвора дорівнює 4,2 нКл. Компонент є уніполярним.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23, призначеному для поверхневого монтажу (SMD).