Діод Шотткі GeneSiC GE2X8MPS06D, SiC, 650 В, 8 А, TO247-3, набір 5 шт.

Діод Шотткі GeneSiC GE2X8MPS06D — це напівпровідниковий компонент із технологією SiC, призначений для випрямлення струму. Модель має максимальну зворотну напругу 650 В та струм провідження 8 А на канал (загальний 16 А) у корпусі TO247-3 для монтажу в отвори (THT).

• Технологія SiC
• Максимальна зворотна напруга 650 В
• Струм провідження 8 А x 2 (загальний 16 А)
• Корпус TO247-3 для монтажу в отвори (THT)
• Набір із 5 діодів у упаковці
• Максимальний імпульсний струм 36 А

Електричні параметри

Діод розрахований на максимальну зворотну напругу 650 В. Струм провідження становить 8 А на кожен із двох каналів, а загальний максимальний струм — 16 А.

Структура та матеріал

Компонент виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Максимальна напруга провідження становить 1,25 В. Діод має подвійну структуру зі спільним катодом.

Монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі TO247-3 для вивідного монтажу (THT). У комплекті постачається 5 діодів. Максимальний імпульсний струм становить 36 А.