IGBT-модуль STARPOWER GD35PJY120L3S — це напівпровідниковий компонент із структурою діод/транзистор. Модуль має максимальну напругу 1200 В та номінальний струм колектора 35 А.
- Максимальна напруга 1200 В
- Номінальний струм колектора 35 А
- Імпульсний струм колектора 70 А
- Технологія Advanced Trench FS IGBT
- Корпус L3.0
- Монтаж Press-in PCB
Електричні параметри
Модуль працює з максимальною зворотною напругою 1,2 кВ та номінальним струмом колектора 35 А. Імпульсний струм колектора становить 70 А. Напруга між затвором та емітером становить ±20 В.
Технологія та топологія
Використовується технологія Advanced Trench FS IGBT. Топологія модуля включає boost chopper, діодний трифазний міст, IGBT трифазний міст з виходом OE та термістор NTC.
Механічне та електричне підключення
Модуль має корпус L3.0 та механічне кріплення типу «прикручуване». Електричне підключення здійснюється через пресоване з'єднання з друкованою платою (Press-in PCB).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустимий струм колектора | 70 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | L3.0 |
| Виробник | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 4 670 ₴

