Діод Шотткі GeneSiC GD30MPS06H, SiC, 650 В, 30 А, TO247-2 (5 шт.)

Діод Шотткі GeneSiC GD30MPS06H — напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) з максимальним прямим струмом 30 А та зворотною напругою 650 В. Виготовлений у корпусі TO247-2 для монтажу на плату (THT). У комплекті 5 штук.

• Тип діода: Шотткі
• Технологія: SiC (карбід кремнію)
• Максимальний прямий струм: 30 А
• Максимальна зворотна напруга: 650 В
• Корпус: TO247-2
• Тип монтажу: вставний (THT)
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Діод має максимальну постійну зворотну напругу 650 В та максимальний прямий струм 30 А. Максимальна пряма напруга становить 1,5 В. Максимально допустимий прямий імпульсний струм — 168 А.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію) у корпусі TO247-2. Тип монтажу — вставний (THT), що передбачає встановлення в отвори на друкованій платі.

Комплектація

У наборі 5 діодів.