Діодний модуль GeneSiC GD2X30MPS06N, 650 В, 30 А x2, SiC, SOT227B
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM073918
Діодний модуль GeneSiC GD2X30MPS06N, 650 В, 30 А x2, SiC, SOT227BВ наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Діодний модуль GeneSiC GD2X30MPS06N — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі SOT227B. Пристрій має подвійну незалежну структуру з двома діодами, розрахованими на струм 30 А кожен.
- Технологія SiC
- Максимальна зворотна напруга 650 В
- Струм провідності 30 А на кожен діод (сумарно 60 А)
- Час готовності 10 нс
- Корпус SOT227B з прикручуваним монтажем
- Подвійна незалежна структура діодів
Технологія SiC
Модуль виготовлений за технологією SiC. Час готовності становить 10 нс. Максимальна напруга провідності не перевищує 1,5 В.
Електричні параметри
Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 650 В. Сумарний струм провідності двох діодів становить 60 А, а імпульсний струм може досягати 168 А.
Корпус та монтаж
Компонент у корпусі SOT227B має прикручуваний тип монтажу як для електричних з'єднань, так і для механічного кріплення. Властивість елементів позначена як MPS.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 168 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.5 В |
| Максимальний прямий струм | 60 А |
| Виробник | MPS |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 10 нс |
| Корпус | SOT227B |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴