Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD15PJY120F1S, 1200 В, 15 А, корпус F1.1

IGBT модуль STARPOWER GD15PJY120F1S — це напівпровідниковий пристрій для підвищувальних перетворювачів (boost chopper). Модель поєднує діодну та транзисторну структури з максимальною напругою 1200 В та струмом колектора 15 А, що забезпечує ефективну роботу в силових електронних схемах.

• Максимальна напруга 1200 В (1,2 кВ)
• Струм колектора 15 А (імпульсний 30 А)
• Топологія: boost chopper, трифазні мости
• Корпус F1.1, монтаж Press-in PCB
• Технологія Advanced Trench FS IGBT

Висока напруга та струм

Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ (1200 В) та номинальний струм колектора 15 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних інверторах та перетворювачах, де важлива стабільність при значних навантаженнях.

Топологія Boost Chopper

Пристрій реалізує топологію boost chopper, що включає трифазний діодний міст та трифазний IGBT міст з виходом OE. Така конфігурація оптимізована для підвищення напруги та керування енергією в промислових системах.

Технологія Advanced Trench FS IGBT

Використання технології Advanced Trench FS IGBT забезпечує низькі втрати при перемиканні та високу ефективність роботи модуля. Це критично важливо для мінімізації нагрівання компонентів у щільно упакованих електронних вузлах.

Механічна та електрична установка

Модуль має корпус типу F1.1 та призначений для прикручування (механічний монтаж). Електричне з'єднання здійснюється через технологію Press-in PCB, що спрощує інтеграцію в друковані плати. Максимальна напруга між затвором та емітером становить ±20 В.