Діод Шотткі GeneSiC GC2X5MPS12-247, SiC, 1,2 кВ, 5А x2, TO247-3 (комплект 10 шт.)

Діод Шотткі GeneSiC GC2X5MPS12-247 — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC). Пристрій має подвійну структуру зі спільною катодом та розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO247-3 для монтажу THT.

• Технологія SiC
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Струм пропускання 5А x2 (подвійний діод)
• Імпульсний струм до 40А
• Корпус TO247-3 для монтажу THT
• Комплект із 10 діодів

Висока зворотна напруга

Діод має максимальну зворотну напругу 1,2 кВ. Це визначає його застосування в електричних ланцюгах з високим потенціалом. Компонент призначений для роботи в умовах високої напруги.

Напівпровідник SiC

Компонент виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Це визначає фізичні властивості напівпровідника. Діод є випрямним (Schottky).

Струмові характеристики

Номінальний струм пропускання становить 5А на кожен діод (загалом 5А x2). Максимальний імпульсний струм досягає 40А. Максимальна напруга пропускання становить 1,5В.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO247-3. Тип монтажу THT (through-hole technology) передбачає встановлення в отвори друкованої плати. Подвійна структура зі спільною катодом означає два діоди в одному корпусі.