Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF, N-MOSFET, 650В, 25А, TO220F (набір 10 шт.)
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM073913
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF, N-MOSFET, 650В, 25А, TO220F (набір 10 шт.)В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF — це напівпровідниковий прилад типу N-MOSFET із технологією SJ-MOSFET. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220F для монтажу на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Технологія: SJ-MOSFET
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 25 А
- Потужність розсіювання: 42 Вт
- Корпус: TO220F
- Монтаж: THT
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Прилад розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та струм дрена 25 А. Потужність розсіювання становить 42 Вт, що визначає теплові умови роботи. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В, а заряд затвора дорівнює 52 нКл.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO220F. Тип монтажу THT (through-hole technology) означає встановлення в отвори друкованої плати. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode).
Полярність та канал транзистора (N-MOSFET, збагачуваний канал)
Упаковка містить 10 транзисторів GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 42 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220F |
| Виробник | GOFORD SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SJ-MOSFET |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴