Транзистор P-MOSFET GOFORD G7P03L, SOT23, -30В, -7А (набір 30 шт.)

Транзистор GOFORD G7P03L — це уніполярний P-MOSFET у корпусі SOT23, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Виробником є GOFORD SEMICONDUCTOR, а символ виробника — G7P03L.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Максимальна напруга стік-витік: -30 В
• Максимальний струм стіка: -7 А
• Потужність розсіювання: 1,9 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Комплектація: 30 шт. у наборі

Електричні характеристики

Пристрій працює з напругою стік-витік до -30 В та витримує струм стіка до -7 А. Потужність розсіювання становить 1,9 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Технологія Trench та канал

Транзистор виготовлений за технологією Trench. Тип каналу — збагачуваний (enhancement mode), що означає відсутність струму при нульовій напрузі на затворі. Компонент має корпус SOT23 та призначений для SMD-монтажу. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а повний заряд затвора дорівнює 29 нКл.