Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G700P06T, -60В, -25А, TO220 (30 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM035665
Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G700P06T, -60В, -25А, TO220 (30 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G700P06T — це уніполярний P-канальний MOSFET у корпусі TO220. Комплект складається з 30 одиниць, призначених для монтажу на плату.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-виток: -60В
- Струм стоку: -25А
- Потужність розсіювання: 100Вт
- Корпус: TO220, монтаж THT
- Заряд затвора: 23нКл
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні характеристики
Пристрій є транзистором типу P-MOSFET із збагачуваним каналом та технологією Trench. Максимальна напруга між стоком та витоком становить -60В, а постійний струм стоку — -25А. Потужність розсіювання дорівнює 100Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Параметри керування
Напруга на затворі відносно витоку може змінюватися в межах ±20В. Загальний заряд затвора становить 23нКл.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220 з виводами для встановлення на плату (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 100 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO220 |
| Виробник | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴