Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R40MT12D, SiC, 1200 В, 50 А, TO247-3 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R40MT12D — це силовий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) для високовольтних застосувань. Комплект складається з 2 одиниць у корпусі TO247-3, що забезпечує зручність для прототипування або серійного монтажу.

• Напруга дрена-джерела: 1,2 кВ
• Постійний струм дрена: 50 А
• Імпульсний струм дрена: 140 А
• Опір у відкритому стані: 40 мОм
• Розсіювана потужність: 333 Вт
• Корпус: TO247-3 (THT)
• Технологія: SiC (G3R™)
• Комплектація: 2 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,2 кВ та постійний струм дрена 50 А. Це дозволяє використовувати компонент у потужних інверторах та джерелах живлення, де потрібна стабільна робота під високим навантаженням.

Ефективність технології SiC

Завдяки технології G3R™ та матеріалу SiC, транзистор має низький опір у відкритому стані 40 мОм. Такий показник зменшує втрати потужності та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою.

Імпульсна потужність

Компонент витримує імпульсний струм дрена до 140 А та має максимальну розсіювану потужність 333 Вт. Це важливо для систем, які працюють у режимі короткочасних пікових навантажень, забезпечуючи надійність при різких стрибках струму.

Зручний монтаж

Транзистор призначений для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO247-3. Таке виконання спрощує процес встановлення на друковані плати та забезпечує ефективне відведення тепла через радіатор.