Модуль транзисторний GeneSiC G3R20MT12N, 1200 В, 74 А, SiC, SOT227B

Модуль напівпровідниковий GeneSiC G3R20MT12N — це одиночний MOSFET-транзистор на карбіді кремнію (SiC) у корпусі SOT227B. Пристрій розрахований на напругу 1,2 кВ та струм 74 А.

• Напруга дрена-джерела: 1200 В
• Струм дрена: 74 А (імпульсний до 240 А)
• Технологія: SiC (карбід кремнію), G3R™
• Опір у провідному стані: 20 мОм
• Корпус: SOT227B, монтаж прикручуванням
• Розсіювана потужність: 365 Вт

Технічні параметри

Модуль має номінальну напругу дрена-джерела 1,2 кВ та постійний струм дрена 74 А. У імпульсному режимі струм може досягати 240 А. Опір у провідному стані становить 20 мОм, а максимальна розсіювана потужність — 365 Вт.

Особливості конструкції

Виріб виготовлений за технологією G3R™ на базі карбіду кремнію (SiC). Це одиночний транзистор з каналом збагачувального типу та уніполярною поляризацією. Напруга затвор-джерело допускається в діапазоні від -5...15 В.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT227B. Механічний та електричний монтаж здійснюється за допомогою прикручування.