Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R160MT12D, SiC, 1200 В, 16 А, комплект 5 шт.

Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R160MT12D — це силовий напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC), призначений для високовольтних застосувань. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247-3, що забезпечує зручність для прототипування та серійного монтажу.

• Напруга дрена-джерела 1,2 кВ для високовольтних застосувань
• Постійний струм дрена 16 А та імпульсний 40 А
• Технологія SiC та G3™ для зниження втрат
• Опір у відкритому стані 0,16 Ом
• Корпус TO247-3 для монтажу в отвори (THT)
• Комплект із 5 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,2 кВ та постійний струм дрена 16 А. Компонент характеризується високою напругою та струмом, що дозволяє використовувати його в силових електронних схемах.

Технологія SiC та ефективність

Завдяки технології G3™ та матеріалу SiC, пристрій має низький опір у відкритому стані 0,16 Ом. Це зменшує теплові втрати та підвищує загальну ефективність схеми, що критично важливо для компактних пристроїв із обмеженим відводом тепла.

Імпульсна потужність та керування

Максимальний імпульсний струм дрена становить 40 А, а розсіювана потужність — 123 Вт. Заряд затвора 28 нК спрощує розрахунок драйвера керування, забезпечуючи швидке перемикання без надмірного навантаження на керуючий вузол.

Монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі TO247-3 для монтажу в отвори (THT), що гарантує механічну міцність та простоту пайки. У комплекті постачається 5 транзисторів.

Транзистор GeneSiC G3R160MT12D є карбід-кремнієвим рішенням для високовольтної силової електроніки.